ວົງຈອນຟິມບາງເຊລາມິກ

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ

ວົງຈອນຟິມບາງເຊລາມິກ

ປັບແຕ່ງແລ້ວ

ໃຫ້ບໍລິການທີ່ກຳນົດເອງ

ຄ່າຄວາມຕ້ານທານຂອງບລັອກ

20~100Ω

ຄວາມໜາແໜ້ນຂອງພະລັງງານທາງທິດສະດີ (W/mm2)

5(1.0*1.0 ມມ) 99.6% 0.254 Al2O3

9(1.0*1.0 ມມ) 98% 0.254 AlN

12(1.0*1.0 ມມ) 99.5% 0.254 BeO

ຄ່າສຳປະສິດອຸນຫະພູມຂອງຄວາມຕ້ານທານ

(-55~+125℃)/ ≤±150ppm/℃

ຄວາມຕ້ານທານສະຖຽນລະພາບ

(2000 ຊົ່ວໂມງ, 125℃) / ≤±0.025%

ຄວາມສາມາດໃນໄລຍະສັ້ນໃນການທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ

-55°C+850°C

ຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງຄວາມຕ້ານທານ

±10%, ±15%, ±20%, (±5% ທາງເລືອກ)

ວັດສະດຸຫຼັກ

ເຊລາມິກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງເຊັ່ນ: ອາລູມິນຽມໄນໄຕຣດ, ອາລູມິນຽມອອກໄຊດ໌, ເບຣິລລຽມອອກໄຊດ໌, ແກ້ວຈຸລະພາກ, ຄວດສ໌, ແລະອື່ນໆ

ຄຸນລັກສະນະ

ອາລູມິນຽມອອກໄຊ

ອາລູມິນຽມໄນໄຕຣດ

ເບຣີລຽມອອກໄຊ

ຄວອດສ໌

ຄວາມບໍລິສຸດ

99.60%

98%

99.50%

99.50%

ຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ

0.05∽0.20ໄມໂຄຣມ

0.10∽0.20ໄມໂຄຣມ

0.10∽0.20ໄມໂຄຣມ

0.01∽0.05ໄມໂຄຣມ

ຄວາມໜາແໜ້ນ

3.87 ກຣາມ/ຊມ3

3.28 ກຣາມ/ຊມ3

2.85g/cm3

2.65g/cm3

ການບິດເບືອນ

0.2~0.3

0.3~0.5

0.3~0.5

0.3~0.8

ຄ່າສຳປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນ

7.0~8.3 (25~1000°C) ×10-6/°C

4.6~5.0 (25~300°C) ×10-6/°C

8.0~10 (25~1000°C) ×10-6/°C

0.55~0.60 (25~1000°C) ×10-6/°C

ການນຳຄວາມຮ້ອນ

26.9 ວັດ/ໄມໂຄຣກິໂລແມັດ

≥170W/mK

≥270W/mK

9.5~10 ວັດ/ມິລິວັດ

ຄ່າຄົງທີ່ຂອງໄດອີເລັກຕຣິກ

9.9±0.1@1MHz

8.6±0.2@1MHz

6.5±0.2@1MHz

3.3±0.2@1MHz

ຄ່າຄົງທີ່ຂອງໄດອີເລັກຕຣິກ

9.5±0.2@10GHz

8.3±0.2@10GHz

6.1±0.2@10GHz

3.0±0.2@10GHz

ການສູນເສຍໄຟຟ້າ

0.0001 @1MHz

0.001 @1MHz

0.0004 @1MHz

0.0002 @1MHz

ປັດໄຈດ້ານຄຸນນະພາບ

5000 @10GHz

500 @10GHz

400 @10GHz

3000 @10GHz

ລະຫັດໄດອີເລັກຕຣິກ

(ທ) ກ

(ທ) ນ

(ທ) ບ

ຟັງຊັນ

ໂລຫະ

ຂອບເຂດ

ໝາຍເຫດ

ຊັ້ນຕ້ານທານ

ຕານ

10-200 ໂອມຕໍ່ຕາແມັດ

ຄວາມຕ້ານທານມາດຕະຖານ 50, 75100 ເອີໂຣ/ຕາແມັດ

ຊັ້ນກາວ

ຂອງ

800~1200Å

ຄວາມລຽບຂອງພື້ນຜິວຂອງພື້ນຜິວ Ra ≤ 10nm, ໂດຍໃຊ້ Ti ເປັນຊັ້ນກາວ

TiW

800~1200Å

ຊັ້ນກາວທີ່ໃຊ້ຫຼາຍທີ່ສຸດ

NiCr

300~800Å

ຊັ້ນກາວທາງເລືອກ

ຈຸດ

300~800Å

ຕານ

200~600Å

ຊັ້ນກີດຂວາງ

ໃນ

ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວ 0.1~0.2μm, ສູງສຸດ 2.0μm

ຮັບປະກັນຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືຂອງການເຊື່ອມ SnPb ແລະ AuSn

ຊັ້ນແຖບການນຳໄຟຟ້າ

ດ້ວຍ

1.0 ~ 75μm, ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວ 10 ~ 35μm

ທີ່

0.5~8.0μm, ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວ≥4.0μm